Name: SIHP12N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP12N65E-GE3-ND
Price: 78.7589 CZK
Availability: OutOfStock

SIHP12N65E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHP12N65E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHP12N65E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIHP12N65E-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	380mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1224 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	156W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220AB
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	SIHP12

Jednotková cena bez DPH:	65,09000 Kč
Jednotková cena s DPH:	78,75890 Kč

SIHP12N65E-GE3