Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SIHP12N65E-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHP12N65E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHP12N65E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHP12N65E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHP12N65E-GE3 Modely |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 380mOhm při 6A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 70 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1224 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 156W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-220AB | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 25,00000 Kč | 25,00 Kč |
| 10 | 24,53800 Kč | 245,38 Kč |
| 100 | 23,48580 Kč | 2 348,58 Kč |
| 500 | 21,19202 Kč | 10 596,01 Kč |
| 1 000 | 20,22822 Kč | 20 228,22 Kč |
| 2 000 | 19,91869 Kč | 39 837,38 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 25,00000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 30,25000 Kč |
Česká republika