AOT11S65L je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 41,82170 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 299
Jednotková cena : 81,05000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 990
Jednotková cena : 67,40000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 28 833
Jednotková cena : 35,48663 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 219
Jednotková cena : 133,76000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,09000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 52,50000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 970
Jednotková cena : 144,26000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 25,53609 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 52,70000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 322
Jednotková cena : 105,83000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 817
Jednotková cena : 65,93000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 600
Jednotková cena : 68,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 34
Jednotková cena : 96,80000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOT11S65L

Číslo produktu DigiKey
785-1510-5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOT11S65L
Popis
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
399mOhm při 5,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
646 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
198W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.