AOT11S65L je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 52,04633 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 299
Jednotková cena : 86,72000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 990
Jednotková cena : 79,58000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 12 000
Jednotková cena : 32,33692 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 30 333
Jednotková cena : 35,48663 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 219
Jednotková cena : 158,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 69,50000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 56,27000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 970
Jednotková cena : 154,34000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 29,60445 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 56,27000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 220
Jednotková cena : 113,18000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 816
Jednotková cena : 70,55000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 94
Jednotková cena : 72,86000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOT11S65L

Číslo produktu DigiKey
785-1510-5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOT11S65L
Popis
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 11A (Tc) 198W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
13.2 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±30V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
646 pF @ 100 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
198W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
399mOhm při 5,5A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (16)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IXTP12N65X2IXYS0IXTP12N65X2-ND52,04633 KčDirect
FCP380N60onsemi2 2991990-FCP380N60-ND86,72000 KčSimilar
IPP60R299CPXKSA1Infineon Technologies990448-IPP60R299CPXKSA1-ND79,58000 KčSimilar
IPP60R380E6XKSA1Rochester Electronics, LLC12 0002156-IPP60R380E6XKSA1-ND32,33692 KčSimilar
IPP65R420CFDXKSA1Rochester Electronics, LLC30 3332156-IPP65R420CFDXKSA1-ND35,48663 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.