IPP80N03S4L03AKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 520
Jednotková cena : 66,35000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 186
Jednotková cena : 32,55000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 729
Jednotková cena : 60,89000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 735
Jednotková cena : 78,53000 Kč
Katalogový list
N-kanál 30 V 80A (Tc) 136W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP80N03S4L03AKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPP80N03S4L03AKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP80N03S4L03AKSA1
Popis
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 80A (Tc) 136W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPP80N03S4L03AKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
2,7mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,2V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
9750 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3-1
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.