SIHP17N60D-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 16 512
Jednotková cena : 88,40000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 995
Jednotková cena : 75,59000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 67
Jednotková cena : 91,97000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 602
Jednotková cena : 87,77000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 052
Jednotková cena : 92,60000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 299
Jednotková cena : 81,05000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 907
Jednotková cena : 97,85000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 990
Jednotková cena : 72,02000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 468
Jednotková cena : 47,04000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 219
Jednotková cena : 143,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 214
Jednotková cena : 76,43000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9
Jednotková cena : 95,75000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 594
Jednotková cena : 52,29000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 322
Jednotková cena : 113,18000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 17A (Tc) 277,8W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP17N60D-E3

Číslo produktu DigiKey
SIHP17N60D-E3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP17N60D-E3
Popis
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 17A (Tc) 277,8W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP17N60D-E3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
340mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1780 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
277,8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.