
SPP15N60C3XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-SPP15N60C3XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SPP15N60C3XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SPP15N60C3XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 675µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 63 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1660 pF @ 25 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 156W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 280mOhm při 9,4A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 2 790 | SPP11N80C3XKSA1-ND | 94,06000 Kč | Direct |
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | 63,40000 Kč | MFR Recommended |
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | 417 | 448-IPP65R045C7XKSA1-ND | 272,16000 Kč | Similar |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | 123,26000 Kč | Direct |
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | 84,67000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 118,88000 Kč | 118,88 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 118,88000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 143,84480 Kč |








