
SPP11N80C3XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SPP11N80C3XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SPP11N80C3XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SPP11N80C3XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 680µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 85 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1600 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 156W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 450mOhm při 7,1A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 718 | IRF830APBF-ND | 82,73000 Kč | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 83,99000 Kč | Similar |
| STP10N60M2 | STMicroelectronics | 400 | 497-13970-5-ND | 45,36000 Kč | Similar |
| STP11NM80 | STMicroelectronics | 970 | 497-4369-5-ND | 154,34000 Kč | Similar |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1 511 | 497-13779-5-ND | 90,92000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 94,70000 Kč | 94,70 Kč |
| 50 | 47,78720 Kč | 2 389,36 Kč |
| 100 | 43,24120 Kč | 4 324,12 Kč |
| 500 | 35,27328 Kč | 17 636,64 Kč |
| 1 000 | 32,71362 Kč | 32 713,62 Kč |
| 2 000 | 30,56207 Kč | 61 124,14 Kč |
| 5 000 | 28,23593 Kč | 141 179,65 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 94,70000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 114,58700 Kč |








