Name: SPP11N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP11N60C3XKSA1-ND
Price: 83.8409 CZK
Availability: InStock

SPP11N60C3XKSA1
Číslo produktu DigiKey	SPP11N60C3XKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPP11N60C3XKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPP11N60C3XKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	380mOhm při 7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1200 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3-1
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	SPP11N60

Jednotková cena bez DPH:	69,29000 Kč
Jednotková cena s DPH:	83,84090 Kč

SPP11N60C3XKSA1