Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IRF610LPBF | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IRF610LPBF-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IRF610LPBF |
Popis | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 41 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 200 V 3,3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Průchozí otvor I2PAK |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.2 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±20V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 140 pF @ 25 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 36W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra I2PAK |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,5Ohm při 2A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FQP4N20L | onsemi | 12 | FQP4N20L-ND | 36,54000 Kč | Similar |
| IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP023N04NGXKSA1-ND | 0,00000 Kč | Similar |
| IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP039N04LGXKSA1-ND | 14,23790 Kč | Similar |
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 496 | 448-IPP041N04NGXKSA1-ND | 43,26000 Kč | Similar |
| IPP042N03LGXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 1 939 | 2156-IPP042N03LGXKSA1-ND | 19,10818 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 18,07634 Kč | 18 076,34 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 18,07634 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 21,87237 Kč |





