IPP12CN10LGXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 1 027
Jednotková cena : 1,60000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 4 111
Jednotková cena : 2,26000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 828
Jednotková cena : 1,97000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 913
Jednotková cena : 3,62000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 800
Jednotková cena : 2,83000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 549
Jednotková cena : 2,85000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 346
Jednotková cena : 2,87000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 345
Jednotková cena : 2,25000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 461
Jednotková cena : 2,18000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,68479 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 127
Jednotková cena : 2,32000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 17 875
Jednotková cena : 4,13000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 590
Jednotková cena : 1,70000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 645
Jednotková cena : 3,28000 Kč
Katalogový list
PG-TO220-3-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP12CN10LGXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPP12CN10LGXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP12CN10LGXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPP12CN10LGXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12mOhm při 69A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,4V při 83µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5600 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 22 140 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Other Suppliers on DigiKey

22 140Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC