IPP12CN10LGXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 1 012
Jednotková cena : 39,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 520
Jednotková cena : 55,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 353
Jednotková cena : 45,89000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 467
Jednotková cena : 94,09000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 800
Jednotková cena : 69,47000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 347
Jednotková cena : 71,78000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 146
Jednotková cena : 70,52000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 130
Jednotková cena : 55,57000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 79,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 16,80443 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 4
Jednotková cena : 57,05000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 17 875
Jednotková cena : 101,25000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 586
Jednotková cena : 41,68000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 566
Jednotková cena : 87,36000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP12CN10LGXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPP12CN10LGXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP12CN10LGXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPP12CN10LGXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12mOhm při 69A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,4V při 83µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5600 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 50 640 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Other Suppliers on DigiKey

50 640Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC