
IRFB4410PBF | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IRFB4410PBF-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IRFB4410PBF |
Popis | MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IRFB4410PBF Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 150µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 180 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5150 pF @ 50 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 200W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 10mOhm při 58A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | 5 246 | IRFB4310ZPBF-ND | 79,79000 Kč | MFR Recommended |
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | 3 330 | 448-IRFB4410ZPBF-ND | 47,88000 Kč | Similar |
| FDP085N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP085N10A-F102-ND | 75,38000 Kč | Direct |
| CSD19533KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37482-5-ND | 52,91000 Kč | Similar |
| DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | 18 | DMTH10H010LCTDI-5-ND | 52,91000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 60,89000 Kč | 60,89 Kč |
| 50 | 29,98940 Kč | 1 499,47 Kč |
| 100 | 26,99080 Kč | 2 699,08 Kč |
| 500 | 21,73084 Kč | 10 865,42 Kč |
| 1 000 | 20,04028 Kč | 20 040,28 Kč |
| 2 000 | 18,61914 Kč | 37 238,28 Kč |
| 5 000 | 17,08212 Kč | 85 410,60 Kč |
| 10 000 | 16,72228 Kč | 167 222,80 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 60,89000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 73,67690 Kč |










