Name: SIHB12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N60E-GE3-ND
Price: 76.472 CZK
Availability: OutOfStock

SIHB12N60E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHB12N60E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHB12N60E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	380mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	937 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	147W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SIHB12

Jednotková cena bez DPH:	63,20000 Kč
Jednotková cena s DPH:	76,47200 Kč

SIHB12N60E-GE3