IPB65R310CFDATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 607
Jednotková cena : 2,35000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 213
Jednotková cena : 4,23000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 3,78000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,76368 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 910
Jednotková cena : 4,74000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 212
Jednotková cena : 2,42000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 8 936
Jednotková cena : 4,46000 Kč
Katalogový list
PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R310CFDATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB65R310CFDATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB65R310CFDATMA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 11,4A (Tc) 104,2W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
310mOhm při 4,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 400µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1100 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
104,2W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.