Similar
Similar
Similar
Similar



SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB12N60ET1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 17 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 58 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Hromadné balení | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 937 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 147W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 380mOhm při 6A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R380C6ATMA1CT-ND | 45,05000 Kč | Similar |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLCT-ND | 68,61000 Kč | Similar |
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ANJTL-ND | 66,12987 Kč | Similar |
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6015FNJTLTR-ND | 37,23082 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 800 | 21,51870 Kč | 17 214,96 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 21,51870 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 26,03763 Kč |



