Similar
Similar
Similar
Similar



SIHB12N60ET5-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHB12N60ET5-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB12N60ET5-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 17 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 58 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Hromadné balení | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 937 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 147W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 380mOhm při 6A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1246-2-ND | 0,00000 Kč | Similar |
| FCB11N60TM | onsemi | 1 788 | FCB11N60TMCT-ND | 101,98000 Kč | Similar |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB60R299CPAATMA1CT-ND | 86,34000 Kč | Similar |
| IPB65R310CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 2 348 | 448-IPB65R310CFDAATMA1CT-ND | 86,55000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 800 | 21,51870 Kč | 17 214,96 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 21,51870 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 26,03763 Kč |





