AOB11S60L je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 348
Jednotková cena : 72,23000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 69,08000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 8 049
Jednotková cena : 64,25000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 433
Jednotková cena : 129,35000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 42,03800 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 11A (Tc) 178W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOB11S60L

Číslo produktu DigiKey
785-1246-2-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOB11S60L
Popis
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 11A (Tc) 178W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
399mOhm při 3,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
545 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
178W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.