IPB60R299CPAATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 1 375
Jednotková cena : 2,77000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 8 936
Jednotková cena : 4,78000 Kč
Katalogový list
PG-TO263-3-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB60R299CPAATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPB60R299CPAATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IPB60R299CPAATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IPB60R299CPAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB60R299CPAATMA1
Popis
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB60R299CPAATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
299mOhm při 6,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 440µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1100 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
96W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3-2
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.