8-PowerVDFN
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPW2900ENH,L1Q

Číslo produktu DigiKey
264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Páska a cívka (TR)
264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Řezaná páska (CT)
264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TPW2900ENH,L1Q
Popis
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montáž na povrch 8-DSOP, pokročilý
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
U-MOSVIII-H
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
33A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
29mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2200 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Provozní teplota
150°C
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-DSOP, pokročilý
Pouzdro
8-PowerVDFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 6 890
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
177,25000 Kč77,25 Kč
1050,49900 Kč504,99 Kč
10035,30720 Kč3 530,72 Kč
50031,01508 Kč15 507,54 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00025,33894 Kč126 694,70 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:77,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:93,47250 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
8 Položky
TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

69,47000 Kč
BSC025N08LS5ATMA1

BSC025N08LS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7

Infineon Technologies

56,62000 Kč
TMP302DDRLR

TMP302DDRLR

THERMOSTAT ACT LOW OPEN DRN 6SOT

Texas Instruments

9,26000 Kč
BZX584B56 RSG

BZX584B56 RSG

DIODE ZENER 56V 150MW SOD523F

Taiwan Semiconductor Corporation

4,21000 Kč
BLM15PX121SN1D

BLM15PX121SN1D

FERRITE BEAD 120 OHM 0402 1LN

Murata Electronics

2,11000 Kč
ISC151N20NM6ATMA1

ISC151N20NM6ATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

120,20000 Kč
TPW5200FNH,L1Q

TPW5200FNH,L1Q

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

Toshiba Semiconductor and Storage

77,25000 Kč
BSC320N20NS3GATMA1

BSC320N20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

Infineon Technologies

68,62000 Kč