Name: TPH2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2900ENHL1QTR-ND
Price: 89.0802 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH2900ENH,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPH2900ENHL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPH2900ENHL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPH2900ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH2900ENH,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH2900ENH,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22 nC @ 10 V
Řada U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2200 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 78W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOP rozšířený (5x5)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 33A (Ta)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu TPH2900
Rds zap (max) při Id, Vgs 29mOhm při 16,5A, 10V