Name: TPH2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2900ENHL1QTR-ND
Price: 79.8963 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TPH2900ENH,L1Q
cms-digikey-product-number	TPH2900ENHL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPH2900ENHL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPH2900ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	TPH2900ENH,L1Q
cms-description	MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
cms-standard-lead-time	16 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	TPH2900ENH,L1Q Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	33A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	29mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2200 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	78W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPH2900

Jednotková cena bez DPH:	66,03000 Kč
Jednotková cena s DPH:	79,89630 Kč

TPH2900ENH,L1Q