Name: QS8M51TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M51TR-ND
Price: 53.8692 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

QS8M51TR
Číslo produktu DigiKey	QS8M51TR-ND - Páska a cívka (TR) QS8M51CT-ND - Řezaná páska (CT) QS8M51DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	QS8M51TR
Popis	MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 2A, 1,5A 1,5W Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	QS8M51TR Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4,7nC při 5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 290pF při 25V, 950pF při 25V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1,5W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SMD, Ploché vodiče
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Dodávaná velikost pouzdra TSMT8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A, 1,5A	Základní číslo produktu QS8M51
Rds zap (max) při Id, Vgs 325mOhm při 2A, 10V