Name: TW027U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027U65CRQTR-ND
Price: 1081.8489 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TW027U65C,RQ
Číslo produktu DigiKey	264-TW027U65CRQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TW027U65CRQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TW027U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TW027U65C,RQ
Popis	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 57A (Tc) 156W (Tc) Montáž na povrch TOLL
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 3mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 65 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +25V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2288 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 156W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota 175°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 57A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TOLL
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro 8-PowerSFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 40mOhm při 29A, 18V