Name: TPH9R00CQH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH9R00CQHLQTR-ND
Price: 74.1851 CZK
Availability: InStock

TPH9R00CQH,LQ
Číslo produktu DigiKey	264-TPH9R00CQHLQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPH9R00CQHLQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPH9R00CQHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH9R00CQH,LQ
Popis	UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 64A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH9R00CQH,LQ Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	64A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 32A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5400 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	960mW (Ta), 210W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	17,26905 Kč	86 345,25 Kč
10 000	16,92964 Kč	169 296,40 Kč

Jednotková cena bez DPH:	61,31000 Kč
Jednotková cena s DPH:	74,18510 Kč

TPH9R00CQH,LQ