N-kanál 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montáž na povrch 4-DFN-EP (8x8)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montáž na povrch 4-DFN-EP (8x8)
TW123V65C,LQ

TW092V65C,LQ

Číslo produktu DigiKey
264-TW092V65CLQTR-ND - Páska a cívka (TR)
264-TW092V65CLQCT-ND - Řezaná páska (CT)
264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TW092V65C,LQ
Popis
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Montáž na povrch 4-DFN-EP (8x8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
27A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
136mOhm při 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 600µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
873 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
111W (Tc)
Provozní teplota
175°C
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
4-DFN-EP (8x8)
Pouzdro
4-VSFN podložka pro odvod tepla
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 480
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1504,16000 Kč504,16 Kč
10363,55900 Kč3 635,59 Kč
100336,36910 Kč33 636,91 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 500274,81132 Kč687 028,30 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:504,16000 Kč
Jednotková cena s DPH:610,03360 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
3 Položky
TPM1R908QM,LQ

TPM1R908QM,LQ

N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

64,46000 Kč
TW027U65C,RQ

TW027U65C,RQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T

Toshiba Semiconductor and Storage

894,09000 Kč
TPW2900ENH,L1Q

TPW2900ENH,L1Q

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

Toshiba Semiconductor and Storage

82,31000 Kč