Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 210.1165 CZK
Availability: InStock

GAN080-650EBEZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN080-650EBEZ
Popis	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 29A (Tc) 240W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok DFN8080-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Rds zap (max) při Id, Vgs	80mOhm při 8A, 6V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 30,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.2 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	225 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	240W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	DFN8080-8
Pouzdro	8-VDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	GAN080

Jednotková cena bez DPH:	173,65000 Kč
Jednotková cena s DPH:	210,11650 Kč

GAN080-650EBEZ