8-VDFN Exposed Pad
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
8-VDFN Exposed Pad
8-VDFN Exposed Pad
Nexperia- e-mode GaN FETs | First Look

GAN080-650EBEZ

Číslo produktu DigiKey
1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Páska a cívka (TR)
1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Řezaná páska (CT)
1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce
GAN080-650EBEZ
Popis
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 29A (Tc) 240W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok DFN8080-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Nexperia USA Inc.
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V
Rds zap (max) při Id, Vgs
80mOhm při 8A, 6V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 30,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
6.2 nC @ 6 V
Vgs (max)
+7V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
225 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
240W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra
DFN8080-8
Pouzdro
8-VDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu
GAN080
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 450
Vzhledem k dočasnému omezení dodávek není společnost DigiKey nyní schopna přijímat zpětné objednávky.
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1162,72000 Kč162,72 Kč
10110,40700 Kč1 104,07 Kč
10084,38100 Kč8 438,10 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50068,93875 Kč172 346,88 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:162,72000 Kč
Jednotková cena s DPH:196,89120 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Nexperia USA Inc.

170,08000 Kč
TP65H150BG4JSG-TR

TP65H150BG4JSG-TR

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

Renesas Electronics Corporation

106,09000 Kč
TP65H070G4LSGB-TR

TP65H070G4LSGB-TR

GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

Renesas Electronics Corporation

245,02000 Kč
CDFG6558N TR13 PBFREE

CDFG6558N TR13 PBFREE

GANFET N-CH 650V 29A 8DFN

Central Semiconductor Corp

229,02000 Kč
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

678,86000 Kč
CDF56G6517N TR13 PBFREE

CDF56G6517N TR13 PBFREE

650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN

Central Semiconductor Corp

119,56000 Kč
WI71060TR

WI71060TR

POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN

Wise-Integration

126,09000 Kč
GS0650306LLMRXUMA1

GS0650306LLMRXUMA1

GAN POWER TRANSISTOR

Infineon Technologies

202,71000 Kč
GNP2050TEC-ZE2

GNP2050TEC-ZE2

ECOGAN, 650V 33.8A DFN8080CK, E-

Rohm Semiconductor

266,91000 Kč