Name: IGT65R055D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND
Price: 181.9235 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGT65R055D2ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGT65R055D2ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGT65R055D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGT65R055D2ATMA1
Popis	GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 31A (Tc) 106W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGT65R055D2ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,6V při 2,6mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4.7 nC @ 3 V
Řada CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 340 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 106W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Tc)	Pouzdro 8-PowerSFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 66mOhm při 7,9A