
IGT65R045D2ATMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IGT65R045D2ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGT65R045D2ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGT65R045D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IGT65R045D2ATMA1 |
Popis | GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN |
Standardní dodací lhůta výrobce | 27 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 38A (Tc) 131W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IGT65R045D2ATMA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | - | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 54mOhm při 10A | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,6V při 3,3mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 6 nC @ 3 V | |
Vgs (max) | -10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 430 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 131W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-HSOF-8 | |
Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 180,88000 Kč | 180,88 Kč |
| 10 | 123,04500 Kč | 1 230,45 Kč |
| 100 | 90,28320 Kč | 9 028,32 Kč |
| 500 | 86,32674 Kč | 43 163,37 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 000 | 70,52827 Kč | 141 056,54 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 180,88000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 218,86480 Kč |






