Name: TP65H030G4PQS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PQS-TR-ND
Price: 249.2721 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H030G4PQS-TR
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H030G4PQS-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP65H030G4PQS-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP65H030G4PQS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H030G4PQS-TR
Popis	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Montáž na povrch TOLL
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	SuperGaN®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	55.7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	12V
Rds zap (max) při Id, Vgs	41mOhm při 30A, 12V
Vgs(th) (max) při Id	4,8V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24.5 nC @ 12 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1500 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	192W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TOLL
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	TP65H030