Name: TP65H030G4PRS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PRS-TR-ND
Price: 270.5923 CZK
Availability: InStock

N-kanál 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Montáž na povrch TOLT

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H030G4PRS-TR
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H030G4PRS-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP65H030G4PRS-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP65H030G4PRS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H030G4PRS-TR
Popis	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Montáž na povrch TOLT
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,8V při 1mA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 24.5 nC @ 12 V
Řada SuperGaN®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1500 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 192W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra TOLT
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 55.7A (Tc)	Pouzdro Modul 16-PowerSOP
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 12V	Základní číslo produktu TP65H030
Rds zap (max) při Id, Vgs 41mOhm při 30A, 12V