Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650FBEZTR-ND
Price: 168.3594 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

GAN190-650FBEZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN190-650FBEZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN190-650FBEZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN190-650FBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN190-650FBEZ
Popis	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Standardní dodací lhůta výrobce	4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 11,5A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok DFN5060-5
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Rds zap (max) při Id, Vgs	190mOhm při 3,9A, 6V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 12,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2.8 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -1,4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	96 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	DFN5060-5
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	GAN190

Jednotková cena bez DPH:	139,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:	168,35940 Kč

GAN190-650FBEZ