Name: ISC151N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC151N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 138.3756 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

ISC151N20NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISC151N20NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISC151N20NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISC151N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISC151N20NM6ATMA1
Popis	TRENCH >=100V
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 9,1A (Ta), 74A (Tc) 3W (Ta), 200W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8 FL
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,1A (Ta), 74A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V, 15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	14mOhm při 50A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 105µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3100 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 200W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8 FL
Pouzdro	8-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	114,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	138,37560 Kč

ISC151N20NM6ATMA1