Name: BSC093N15NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC093N15NS5ATMA1TR-ND
Price: 103.9148 CZK
Availability: InStock

BSC093N15NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC093N15NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC093N15NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC093N15NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC093N15NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC093N15NS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	87A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,3mOhm při 44A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,6V při 107µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3230 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	139W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-7
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC093

Jednotková cena bez DPH:	85,88000 Kč
Jednotková cena s DPH:	103,91480 Kč

BSC093N15NS5ATMA1