Name: BSC110N15NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC110N15NS5ATMA1TR-ND
Price: 116.1116 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC110N15NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC110N15NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC110N15NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC110N15NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC110N15NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC110N15NS5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,6V při 91µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2770 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-7
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 76A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Základní číslo produktu BSC110
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 38A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 27 786

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®