Name: BSC028N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC028N06NSATMA1TR-ND
Price: 66.0297 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSC028N06NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC028N06NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC028N06NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC028N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC028N06NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC028N06NSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,8mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,8V při 50µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2700 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-7
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC028

Jednotková cena bez DPH:	54,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:	66,02970 Kč

BSC028N06NSATMA1