Name: ISC055N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC055N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 156.7676 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISC055N15NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISC055N15NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISC055N15NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISC055N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISC055N15NM6ATMA1
Popis	TRENCH >=100V
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 15,4A (Ta), 130A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISC055N15NM6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 5,2mOhm při 50A, 15V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 4V při 110µA
Řada OptiMOS™ 6	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 56 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4000 pF @ 75 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 214W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15,4A (Ta), 130A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 15V	Pouzdro 8-PowerTDFN