Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 684.2913 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Informace

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

Kontaktujte nás

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMCQ120R010M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMCQ120R010M2HXTMA1
Popis	SIC DISCRETE
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 195A (Tc) 880W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	195A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 69A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,1V při 21,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150.1 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6320 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	880W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	565,53000 Kč	565,53 Kč
10	424,76500 Kč	4 247,65 Kč

Jednotková cena bez DPH:	565,53000 Kč
Jednotková cena s DPH:	684,29130 Kč

IMCQ120R010M2HXTMA1

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás