Name: AIMCQ120R020M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1TR-ND
Price: 524.9222 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 116A (Tc) 577W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMCQ120R020M1TXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMCQ120R020M1TXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMCQ120R020M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMCQ120R020M1TXTMA1
Popis	SIC_DISCRETE
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 116A (Tc) 577W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	AIMCQ120R020M1TXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5.1V @ 13.7mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 82 nC @ 20 V
Řada CoolSiC™	Vgs (max) +25V, -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2667 pF @ 800 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 577W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 116A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V, 20V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-22
Rds zap (max) při Id, Vgs 25mOhm při 43A, 20V	Pouzdro Modul 22-PowerBSOP