Name: IMCQ120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 579.5416 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 118A (Tc) 580W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMCQ120R017M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMCQ120R017M2HXTMA1
Popis	SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 118A (Tc) 580W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMCQ120R017M2HXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 17,1mOhm při 40A, 18V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,1V při 12,7mA
Řada CoolSiC™ G2	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 91.1 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3730 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 580W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 118A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-22
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Pouzdro Modul 22-PowerBSOP