Name: IMDQ65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 507.6313 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMDQ65R010M2HXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMDQ65R010M2HXUMA1
Popis	IMDQ65R010M2HXUMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 154A (Tc) 651W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMDQ65R010M2HXUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	154A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,1mOhm při 92,1A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 18,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	113 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4002 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	651W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22-1
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP