N-kanál 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMBG65R010M2HXTMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMBG65R010M2HXTMA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMBG65R010M2HXTMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
9,1mOhm při 92,1A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 18,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
112 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4001 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
535W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-7-12
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 880
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1477,49000 Kč477,49 Kč
10342,60300 Kč3 426,03 Kč
100302,92760 Kč30 292,76 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 000247,49041 Kč247 490,41 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:477,49000 Kč
Jednotková cena s DPH:577,76290 Kč