Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 656.5339 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMBG65R010M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBG65R010M2HXTMA1
Popis	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMBG65R010M2HXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 9,1mOhm při 92,1A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 18,7mA
Řada CoolSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 112 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4001 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 535W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 158A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7-12
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA