Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 528.7821 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMBG65R010M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBG65R010M2HXTMA1
Popis	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMBG65R010M2HXTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	158A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,1mOhm při 92,1A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 18,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	112 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4001 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	535W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7-12
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA

Jednotková cena bez DPH:	437,01000 Kč
Jednotková cena s DPH:	528,78210 Kč

IMBG65R010M2HXTMA1