
IMBG65R007M2HXTMA1 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMBG65R007M2HXTMA1 |
Popis | SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMBG65R007M2HXTMA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 15V, 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 8,5mOhm při 146,3A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,6V při 2,97mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 179 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 6359 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 789W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO263-7-12 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 586,57000 Kč | 586,57 Kč |
10 | 444,65800 Kč | 4 446,58 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 000 | 363,29082 Kč | 363 290,82 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 586,57000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 709,74970 Kč |