Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 1343.5477 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

N-kanál 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-3

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMCQ120R005M2HXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies Americas Corp.
Číslo produktu výrobce	IMCQ120R005M2HXUMA1
Popis	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 138,2A, 18V
Mfr Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (max) při Id 5,1V při 43,4mA
Řada CoolSiC™ G2	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 261 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9760 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1364W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 342A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-22-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Pouzdro Modul 22-PowerBSOP