Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 943.0377 CZK
Availability: OutOfStock

N-kanál 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMBG120R010M1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMBG120R010M1XTMA1
Popis	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	AIMBG120R010M1XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 178 nC @ 20 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) +25V, -10V
Řada CoolSiC™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5703 pF @ 800 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 882W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 205A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V, 20V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Rds zap (max) při Id, Vgs 11.3mOhm @ 93A, 20V	Základní číslo produktu AIMBG120
Vgs(th) (max) při Id 5.1V @ 30mA