Name: SQJ431AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 63.8396 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ431AEP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ431AEP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ431AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ431AEP-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 200 V 9,4A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ431AEP-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 85 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3700 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 68W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,4A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 305mOhm při 3,8A, 10V	Základní číslo produktu SQJ431
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA