Name: STD40P8F6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD40P8F6AGTR-ND
Price: 62.5086 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STD40P8F6AG
Číslo produktu DigiKey	497-STD40P8F6AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STD40P8F6AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STD40P8F6AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STD40P8F6AG
Popis	MOSFET P-CH 80V DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 80 V 40A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-252 (DPAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STD40P8F6AG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 73 nC @ 10 V
Mfr STMicroelectronics	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4112 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 100W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252 (DPAK)
Rds zap (max) při Id, Vgs 28mOhm při 20A, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA	Základní číslo produktu STD40