Name: IMCQ120R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 918.7167 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Informace

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

Kontaktujte nás

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMCQ120R007M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMCQ120R007M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMCQ120R007M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMCQ120R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMCQ120R007M2HXTMA1
Popis	SIC DISCRETE
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 257A (Tc) 1172W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	257A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,5mOhm při 93A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,1V při 29,1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	197.2 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8440 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1172W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	759,27000 Kč	759,27 Kč
10	613,14400 Kč	6 131,44 Kč

Jednotková cena bez DPH:	759,27000 Kč
Jednotková cena s DPH:	918,71670 Kč

IMCQ120R007M2HXTMA1

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás