Name: AIMCQ120R060M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R060M1TXTMA1TR-ND
Price: 281.7001 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMCQ120R060M1TXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMCQ120R060M1TXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMCQ120R060M1TXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMCQ120R060M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMCQ120R060M1TXTMA1
Popis	SIC_DISCRETE
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 44A (Tc) 259W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	AIMCQ120R060M1TXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	44A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	75mOhm při 13A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,1V při 4,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	880 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	259W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP