VideoLibrary

4th Gen SiC MOSFETs

ROHM’s new 4th generation of MOSFETs utilize an improved trench structure to deliver the industry’s lowest ON resistance, while low switching loss is achieved by significantly reducing parasitic capacitance.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2472 - Immediate$218.51Zobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE0 - Immediate$6,639.35Zobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediate$11,732.71Zobrazit podrobnosti
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP933 - Immediate$139.35Zobrazit podrobnosti
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP1000 - Immediate$136.64Zobrazit podrobnosti
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP643 - Immediate$61.87Zobrazit podrobnosti
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP314 - Immediate$195.80Zobrazit podrobnosti
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFP995 - Immediate$259.13Zobrazit podrobnosti
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N0 - Immediate$332.45Zobrazit podrobnosti
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N545 - Immediate$249.34Zobrazit podrobnosti
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247450 - Immediate$230.59Zobrazit podrobnosti
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N0 - Immediate$313.70Zobrazit podrobnosti
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N283 - Immediate$211.63Zobrazit podrobnosti
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N199 - Immediate$216.63Zobrazit podrobnosti
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N154 - Immediate$511.38Zobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE8 - Immediate$14,798.67Zobrazit podrobnosti
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP886 - Immediate$60.41Zobrazit podrobnosti
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP0 - ImmediateSee Page for PricingZobrazit podrobnosti
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Immediate$6,218.80Zobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE6 - Immediate$28,566.89Zobrazit podrobnosti

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Publish Date: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
BD3430 DAC Chip - MUS-ICT™ Series ROHM’s MUS-ICT series contains the BD3430 DAC chip, a high-grade audio IC.

Related Articles and Blogs

Snížení ztrát, zlepšení účinnosti a rozšíření rozsahu teplot v aplikacích s vysokým výkonem K výraznému zlepšení účinnosti, snížení nákladů a zmenšení velikosti vysokonapěťových řídicích obvodů s vysokým výkonem mohou konstruktéři použít tranzistory MOSFET s karbidem křemíku 4. generace.
Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Polovodiče WBG v letectví a družicích WBG polovodiče přinášejí několik výhod při převodu energie, například zvýšenou hustotu výkonu a účinnost i snížení velikosti a hmotnosti systému.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.