BSM300D12P3E005
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
BSM300D12P3E005
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM300D12P3E005

Číslo produktu DigiKey
846-BSM300D12P3E005-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSM300D12P3E005
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Montáž na šasi Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
300A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 91mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
14000pF při 10V
Výkon - max
1260W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 6
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
128 868,60000 Kč28 868,60 Kč
Jednotková cena bez DPH:28 868,60000 Kč
Jednotková cena s DPH:34 931,00600 Kč