Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 291A (Tc) 925W (Tc) Montáž na šasi Modul
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSM300D12P4G101

Číslo produktu DigiKey
846-BSM300D12P4G101-ND
Výrobce
Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce
BSM300D12P4G101
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 291A (Tc) 925W (Tc) Montáž na šasi Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Krabice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
291A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) při Id
4,8V při 145,6mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
30000pF při 10V
Výkon - max
925W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
BSM300
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
113 092,46000 Kč13 092,46 Kč
1211 386,42833 Kč136 637,14 Kč
Jednotková cena bez DPH:13 092,46000 Kč
Jednotková cena s DPH:15 841,87660 Kč