Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 300A (Tc) 1875W Montáž na šasi Modul
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 300A (Tc) 1875W Montáž na šasi Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM300D12P2E001

Číslo produktu DigiKey
BSM300D12P2E001-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSM300D12P2E001
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 300A (Tc) 1875W Montáž na šasi Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSM300D12P2E001 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
300A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) při Id
4V při 68mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
35000pF při 10V
Výkon - max
1875W
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 16
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
116 100,80000 Kč16 100,80 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:16 100,80000 Kč
Jednotková cena s DPH:19 481,96800 Kč