BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor | Pole FET, MOSFET

BSM600D12P3G001 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Rohm Semiconductor

Skladem : 5

Jednotková cena : 5 248,77000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSM600D12P3G001
Číslo produktu DigiKey	846-BSM600D12P3G001-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	BSM600D12P3G001
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 182mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 31 000pF při 10V
Balení Hromadné balení	Výkon - max 2450W (Tc)
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Způsob montáže Montáž na šasi
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Pouzdro Modul
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Dodávaná velikost pouzdra Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 600A (Tc)	Základní číslo produktu BSM600